| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | BSC16DN25NS3 G |
| 说明 | 功率MOSFET 5.9mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 5000 |
| 最小包 | 5000 |
| 现货 | 10286 [库存更新时间：2024-06-07] |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | 250V |
| 连续漏极电流Id | 10.9A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ |
| 栅极电压Vgs | 10V |
| Qg-栅极电荷 | 8.6nC |
| 配置 | SingleQuadDrainTripleSource |
| Pd-功率耗散(Max) | 62.5W |
| 高度 | 1.27mm |
| 长度 | 5.9mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 5.15mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 7S |
| 下降时间 | 4ns |
| 典型关闭延迟时间 | 11ns |
| 典型接通延迟时间 | 6ns |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
IC普拉斯 元器件现货
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